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该课题面向400Gb/s高速相干光通信系统对窄线宽激光器的特殊需求,开展了半导体增益材料生长激光增益芯片制备、光纤光栅设计和半导体激光器结构封装等方面的研究,研制出国产化基于双段式增益芯片的FBG外腔式窄线宽半导体激光器,实现了小型集成化、低功耗、低成本、高度稳定的窄线宽激光输出。器件全电流调谐范围内线宽< 20 kHz,窄线宽6.5 kHz,出纤功率 >10 mW,边模抑制比> 40dB,相对强度噪声< -160dB/Hz。器件关键指标达到或接近国际同类产品水平。
该课题研究的技术成果打破国际垄断,为我国制造具有自主知识产权的外腔半导体激光器,发展新一代光通讯产业奠定了扎实基础。
(原标题:863计划课题“集成化100kHz窄线宽激光光源”通过验收)