近期，中科院上海微系统与信息技术研究所镓砷铋(GaAsBi)量子阱激光器研究取得重要进展。
王庶民研究员领导的研究团队采用分子束外延方法生长了镓砷铋量子阱材料，并成功制备出目前发光波长长(1.142微米)的电泵浦镓砷铋室温(300 K)量子阱激光器，突破之前1.06微米的世界纪录，脉冲激射大输出功率达到127 mW，并在273 K报道连续激射。
相关研究论文“1.142 μm GaAsBi/GaAs Quantum Well Lasers Grown by Molecular Beam Epitaxy”于2017年6月5日在ACS Photonics发表，(DOI: 10.1021/acsphotonics.7b00240) 。
稀铋半导体材料具有一系列不同于传统三五族材料的优良特性，是一种富有潜力的新型光电器件材料，也是当前国际上研究的热门领域之一。其中镓砷铋材料由于其较大的带隙收缩效应、自旋轨道分裂能和较低的温敏性等特点，被认为是光通讯系统中非制冷激光器具潜力的新材料之一。但是，为了有效凝入铋组分，镓砷铋材料生长需要较低温度，这就容易导致缺陷密度增大从而影响材料的发光性能，激光器材料生长有极大挑战。
中科院上海微系统与信息技术研究所吴晓燕、潘文武等人基于分子束外延技术优化生长了高质量的镓砷铋量子阱材料，成功制备较高性能的镓砷铋量子阱激光器，发光波长拓展到1.142微米，同时其特征温度和波长温敏系数均优于当前商用的InP基激光器。该项研究有助于推动新型稀铋材料在光电器件领域的应用。
该项工作得到了973项目和国家自然科学基金重点项目的资助。
(原文标题：上海微系统所镓砷铋量子阱激光器研究取得重要进展)
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