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份 库存999份
| 货号： | XFG14 |
| CAS号： | 1317-33-5 |
| 数量： | 大量 |
| 规格： | 1 盒 |
产品名称
中文名称: 机械剥离二氧化硅基底单层二硫化钼
英文名称：Mechanical exfoliation MoS2 on SiO2性质
形态：薄膜
参数
基底：二氧化硅
基底尺寸：10 mmx10 mm
MOS2面积: ＞10 µm2
应用
先丰纳米最新推出机械剥离制备的二硫化钼，相比较锂插层制备的单层类石墨烯材料，该类材料具有缺陷少，优异的光学性质，可以研究层数和荧光效应，此外，由于保持了原有晶格结构，所以该类材料是制备器件的理想材料。
其他信息
详情请发邮件至：sale@xfnano.com
温馨提示：不可用于临床治疗。
[VIP第1年] 指数:3
通过南京市鼓楼区市场监督管理局认证 
